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低壓無功補償係統發展至今常見的形式分為2種：

1、以電容器、電抗器、投切黄瓜官网入口、功率因數控製器及補償係統配套的其他保護元件組成的傳統類型的補償係統，補償後功率因數可達0.96以上
2、以IGBT為核心元件通過對線路進行實時分析，可發出無功對線路進行雙向補償，補償後功率因數接近於1。
第一種形式的補償係統——組成：電容、電抗、投切黄瓜官网入口、功率因數控製器及配套保護裝置。

第二種形式：常見類型為模塊化靜止無共發生器SVG/ASVG.

二、低壓無功補償係統——產品組成
組件+投切黄瓜官网入口+功率因數控製器
組件：

電容器：幹式自愈式低壓電容器（帶電抗類型）常規類型5Kvar、10Kvar、15Kvar、20Kvar、25Kvar、30Kvar。一般組件規格40Kvar電容器組為2隻20Kvar電容器配置，50Kvar電容器組為2隻25Kvar配置，以此類推；
電抗器：與電容器配套使用，減少3/5/7/11次諧波對電容器影響，可與5Kvar-80Kvar電容器/電容器組匹配。

電容器投切分為動態投切和靜態投切，國標規定響應時間1秒以內為動態投切；超過3秒為靜態投切，投切黄瓜官网入口按動態投切使用：晶閘管黄瓜官网入口（可控矽黄瓜官网入口）；又稱無觸點投切，過零投切，無湧流，通過控製器控製輸出12V直流電壓來控製黄瓜官网入口的通斷。
靜態投切使用：電容投切專用接觸器，此種接觸器采用延時投切技術控製電容器投切時湧流的出現。控製器通過無源觸點控製接觸器。
不同的投切黄瓜官网入口控製方式不同，因此對應控製器也是不同的。即控製器型號是由投切黄瓜官网入口（投切方式）決定的。

黄瓜视频免费版電氣晶閘管投切模塊(單相)技術源自德國，我司在充分消化吸收德國技術和先進製造工藝的基礎上，研製出了擁有自主知識產權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專利技術保證電壓過零觸發，電流過零斷開，真正實現投切無湧流，跟隨速度快，有效補償衝擊性負荷，平均響應時間小於18ms，很好地取代傳統投切裝置。